учреждение высшего образования
«Бурятская государственная сельскохозяйственная академия имени В.Р. Филиппова»
Инженерный факультет
Электрификация и автоматизация селького хозяйства
Направленность (профиль) Электрооборудование и электротехнологии
в учебном плане
является дисциплиной обязательной для изучения
дисциплины кафедра
Семестр 5
Зав. кафедрой Балданов М.Б.
п/п
на заседании кафедры
Заведующий кафедрой
Балданов М.Б.
(представитель работодателя)
ПКС-8: Способен участвовать в проведении лабораторных работ исследовательского характера по общепринятым методикам, составлять их описание и формулировать выводы;
ПКС-8 Способен участвовать в проведении лабораторных работ исследовательского характера по общепринятым методикам, составлять их описание и формулировать выводы
форма текущего контроля успеваемости)
работ
Microsoft OfficeProPlus 2016 RUS OLP NL Acdmc. Договор № ПП-61/2015 г. О поставке программных продуктов от 9 декабря 2015 года
Microsoft Windows Vista Business Russian Upgrade Academic OPEN No Level Государственный контракт № 25 от 1 апреля 2008 года
http://www.garant.ru/
- использование специализированных (адаптированных) рабочих программ дисциплин (модулей) и методов обучения и воспитания, включая наличие альтернативной версии официального сайта организации в сети «Интернет» для слабовидящих;
- использование специальных учебников, учебных пособий и других учебно-методических материалов, включая альтернативные форматы печатных материалов (крупный шрифт или аудиофайлы);
- использование специальных технических средств обучения (мультимедийное оборудование, оргтехника и иные средства) коллективного и индивидуального пользования, включая установку
мониторов с возможностью трансляции субтитров, обеспечение надлежащими звуковыми
воспроизведениями информации;
- предоставление услуг ассистента (при необходимости), оказывающего обучающимся необходимую техническую помощь или услуги сурдопереводчиков / тифлосурдопереводчиков;
- проведение групповых и индивидуальных коррекционных занятий для разъяснения отдельных вопросов изучаемой дисциплины (модуля);
- проведение процедуры оценивания результатов обучения возможно с учетом особенностей нозологий (устно, письменно на бумаге, письменно на компьютере, в форме тестирования и т.п.) при использовании доступной формы предоставления заданий оценочных средств и ответов на задания (в печатной форме увеличенным шрифтом, в форме аудиозаписи, в форме электронного документа, задания зачитываются ассистентом, задания предоставляются с использованием сурдоперевода) с
использованием дополнительного времени для подготовки ответа;
- обеспечение беспрепятственного доступа обучающимся в учебные помещения, туалетные и другие помещения организации, а также пребывания в указанных помещениях (наличие пандусов, поручней, расширенных дверных проемов и других приспособлений);
- обеспечение сочетания онлайн и офлайн технологий, а также индивидуальных и коллективных форм работы в учебном процессе, осуществляемом с использованием дистанционных образовательных технологий;
- и другие условия, без которых невозможно или затруднено освоение ОПОП ВО.
В целях реализации ОПОП ВО в академии оборудована безбарьерная среда, учитывающая потребности лиц с нарушением зрения, с нарушениями слуха, с нарушениями опорно-двигательного
аппарата. Территория соответствует условиям беспрепятственного, безопасного и удобного передвижения инвалидов и лиц с ограниченными возможностями здоровья. Вход в учебный корпус
оборудован пандусами, стекла входных дверей обозначены специальными знаками для слабовидящих, используется система Брайля. Сотрудники охраны знают порядок действий при прибытии в академию лица с ограниченными возможностями. В академии создана толерантная социокультурная среда, осуществляется необходимое сопровождение образовательного процесса,
при необходимости предоставляется волонтерская помощь обучающимся инвалидам и лицам с ограниченными возможностями здоровья.
1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные и примесные полупроводники (ПКС-8).
2. Образование электронно-дырочного перехода (ПКС-8).
3. Физические процессы в р-п переходе. ВАХ. Электрический и тепловой пробой перехода (ПКС-8).
4. Полупроводниковые резисторы, диоды, стабилитроны (ПКС-8).
5. Биполярные транзисторы. Устройство и усилительные свойства. Схемы включения транзистора (ПКС-8).
6. Схема включения биполярного транзистора с ОЭ. Входные и выходные характеристики, h-параметры (ПКС-8).
7. Полевые транзисторы с p-n-переходом, с изолированным затвором (МДП-транзисторы); их вольтамперные характеристики и параметры (ПКС-8).
8. Тиристоры. Определение. Классификация. Физические процессы в динисторе и тиристоре. ВАХ и основные параметры тиристоров (ПКС-8).
9. Интегральные микросхемы. Классификация ИМС. Основные параметры ИМС.
10. Однофазный однополупериодный выпрямитель. Схема. Принцип действия. Основные соотношения (ПКС-8).
11. Однофазный двухполупериодный (мостовой) выпрямитель. Схема. Принцип действия. Основные соотношения (ПКС-8).
12. Трехфазный мостовой выпрямитель. Схема. Принцип действия. Основные соотношения.
13. Управляемый выпрямитель. Схема. Принцип действия. Основные соотношения (ПКС-8).
14. Сглаживающие фильтры, назначение, типы, расчет фильтра (ПКС-8).
15. Параметрический стабилизатор напряжения. Схема. Принцип действия (ПКС-8).
16. Условные изображения, структура, принцип работы фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, светодиодов. Области их применения (ПКС-8).
17. Усилители. Общие сведения. Классификация. Принцип построения усилительных каскадов. Режим покоя (ПКС-8).
18. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с ОЭ. Назначение элементов схемы. Принцип работы, временная диаграмма (ПКС-8).
19. Операционные усилители. Амплитудная характеристика. Структурная схема, обозначение, общие свойства (ПКС-8).
20. Триггеры. Основные определения и назначение. Классификация триггеров. Принцип работы (ПКС-8).
Комплект контрольных вопросов для проведения устных опросов
Тема: Транзистор – основа построения электронных систем
2. Поясните названия: полевой, канальный, униполярный.
3. В чём заключается принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом?
4. Как и почему называются выводы полевого транзистора?
5. Какая аналогия между выводами биполярных и полевых транзисторов?
6. Как обозначаются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом в схемах?
7. Что будет происходить в полевом транзисторе с p-n переходом, если изменять напряжение на затворе?
8. Как используя технологию изготовления биполярных транзисторов n-p-n типов можно сделать полевой транзистор с управляющим p-n переходом и p-каналом?
9. Поясните, название МДП- и МОП- транзисторы.
10. В чём заключается принцип действия МДП-транзистора?
11. Что такое встроенный и индуцируемый каналы?
12. Какое напряжение нужно подать на затвор МДП-транзистора с индуцируемым n-каналом, чтобы ток стока увеличился?
13. Какое напряжение нужно подать на затвор МДП-транзистора с встроенным n-каналом, чтобы между истоком и стоком отсутствовал ток?
14. Чем отличаются каналы в полевых транзисторах с p-n переходом и МДП-транзисторах?
15. Как обозначаются МДП-транзисторы в схемах?
Тема: Многопереходные полупроводниковые приборы
1. Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
2. За счет чего в p - n переходе возникает: диффузионный ток, контактная разность потенциалов, дрейфовый ток?
3. Рассказать о механизме протекания основного тока через закрытый переход диода.
4. Рассказать о механизме протекания основного тока через открытый переход диода.
5. Как нужно подключить источник эдс, чтобы диод был закрыт?
6. В чем отличие ВАХ диода и стабилитрона?
7. Каковы основные соотношения между токами транзистора?
8. Какие напряжения и какой полярности нужно подключать к p-п-p транзистору?
9. Какой вид имеют ВАХ транзистора, включенного с ОБ?
10. Какова размерность параметра h11?
11. Какой вид имеет зависимость Iк = f(Iэ) при Uк = const?
12. Как, исходя из семейства выходных характеристик , определить параметр h21?
13. Чем объясняется наличие обратного тока коллектора Iк?
14. Объяснить вид входных и выходных вольтамперных характеристик транзистора (схемы с ОБ), используя происходящие в кристалле процессы.
15. Какой вид имеют ВАХ транзистора, включенного с ОЭ?
16. Какова размерность параметра h22 и его физическая сущность?
17. Почему ток коллекторного перехода при Uк > I B слабо зависит от приложенного напряжения?
18. Как по ВАХ можно вычислить коэффициенты усиления по току и напряжению транзисторного усилителя?
19. Почему ток коллекторного перехода (схема ОЭ) при Uк I B сильно зависит от изменения коллекторного напряжения?
20. Приведите схему транзисторного электронного ключа и объясниете принцип работы ключа.
21. Приведите схему транзисторного усилителя напряжения и объясниете принцип работы усилителя.
22. Приведите схему практического применения полупроводниковых приборов в выбранной Вами профессии и объясните принцип ее работы.
Тема: Усилители электрических сигналов
1. Перечислите основные параметры электронных усилителей.
2. Приведите классификацию электронных усилителей.
3. При каких условиях нелинейные искажения увеличиваются?
4. Сравните усилители с ОЭ, ОБ, ОК и с ОИ, ОЗ, ОС по коэффициентам усиления.
5. Сравните усилители с ОЭ, ОБ, ОК по значениям RВХ и RВЫХ. Чем обусловлено их различие?
6. Сравните частотные свойства каскадов с ОЭ, ОБ, ОК и с ОИ, ОЗ, ОС, объясните причины различия.
7. Какой усилитель (ОЭ, ОБ, ОК) обладает наибольшим коэффициентом усиления?
8. Какой усилитель (ОЭ, ОБ, ОК) обладает наибольшим входным сопротивлением, наибольшим выходным сопротивлением?
9. Какой усилитель (ОЭ, ОБ, ОК) обладает наибольшей температурной нестабильностью?
10. Объясните назначение всех компонентов схем усилителей с ОЭ, ОБ, ОК, ОИ, ОС, 0З.
11. Каковы основные способы задания режима транзистора в усилительных каскадах ОЭ, ОБ, ОК?
12. Когда следует применять усилительные каскады, включенные по схеме с ОЭ, ОБ, ОК или с ОС, ОИ, ОЗ?
13. Объясните влияние температуры на режим работы усилительных каскадов с ОЭ, ОБ, ОК.
14. Какие вы знаете способы температурной стабилизации режима работы усилительных каскадов?
15. Как влияет ООС на амплитудно-частотную характеристику усилителя?
16. Приведите схемы усилителей на биполярных и униполярных транзисторах с местными ООС по постоянному току и дайте их краткую характеристику.
Тема: Основные схемы усилителей электрических сигналов
1. Дайте определение усилителю электрических сигналов.
3. Приведите основные характеристики усилителей.
4. Дайте определение коэффициенту усиления по напряжению, току и мощности.
5. Как выразить коэффициент усиления в логарифмических единицах?
6. Приведите формулу комплексного коэффициента усиления.
7. Дайте определение частотным характеристикам усилителя.
8. Как определить частотные характеристики из комплексного коэффициента усиления?
9. Как определить частоту среза АЧХ усилителя?
10. Дайте определение входному и выходному сопротивлению усилителя?
11. Что такое коэффициент нелинейных искажений и как его найти?
12. Что такое обратная связь? Какие обратные связи бывают в усилителях?
13. Когда возникает отрицательная и положительная обратная связь?
14. Приведите схемы получения сигнала обратной связи усилителя.
15. Нарисуйте схемы введения сигнала обратной связи.
16. Приведите структурную схему усилителя, охваченного отрицательной обратной связью. Чему равен коэффициент усиления усилителя с отрицательной обратной связью.
17. Зачем вводят отрицательную обратную связь?
18. Что такое коэффициент петлевогго усиления?
19. Чему равен коэффициент усиления усилителя при глубокой отрицательной обратной связи (АКос >> 1)?
Перечень дискуссионных вопросов
Тема: Основные элементы аналоговой электроники
1. Какова природа электропроводности твердых веществ? Классифицируйте твердые вещества по электропроводности. Чем обусловлена электропроводность собственного полупроводника? С какой целью в полупроводник вводят примеси? Как влияют на электропроводность полупроводника донорные и акцепторные примеси? Объясните, что такое дырки? Каково их движение в полупроводнике при отсутствии и под действием разницы потенциалов?
2. Объясните отличие собственного и примесного полупроводников? Какие носители являются основными и неосновными в полупроводниках n- и p-типов? Почему? Объяснить причины возникновения диффузионного и дрейфового токов в полупроводнике.
3. Что такое p-n-переход? Как он формируется? Поясните принцип действия p-n-перехода.
4. Объяснить с физической точки зрения вентильные свойства p-n-перехода. 5. Показать отличия между вольт-амперными характеристиками кремниевого и германиевого диодов. Привести типовые значения для, пр r , обр r , Uпр , 0 I этих диодов. Как определить данные параметры по ВАХ?
6. Перечислить параметры, определяемые по ВАХ реального диода. Как они определяются?
7. Записать математическую модель идеализированного p-n-перехода и пояснить физический смысл каждого параметра. Нарисовать ВАХ идеализированного p-n-перехода. Сравните идеальную и реальную вольт-амперные характеристики диода.
8. Приведите ВАХ диода для разных рабочих температур? Чем обусловлен обратный ток в диоде и как зависит от температуры и обратного напряжения?
9. Охарактеризуйте виды пробоя p-n-перехода.
10. Привести схемы замещения диодов и их аппроксимированные вольт-амперные характеристики. Как определяются параметры элементов в схемах замещения? Дайте рекомендации по применению схем.
11. Какова область применения выпрямительных диодов? Перечислите и поясните основные параметры и значения выпрямительных диодов.
12. В каких случаях целесообразно применение импульсных диодов? Почему? Поясните с помощью диаграмм процесс запирания диода в импульсных схемах. Перечислите основные параметры импульсных диодов. 13. Нарисуйте УГО и ВАХ стабилитрона. Почему такие диоды называют стабилитронами? Перечислите и поясните основные параметры стабилитронов и их типовые значения. Привести схему простейшего параметрического стабилизатора со стабилитроном. Пояснить принцип действия.
14. Какой полупроводниковый диод называют стабистором? Почему? Как стабистор включается в электрическую цепь? Какие полупроводниковые диоды называются варикапами? Приведите схему включения варикапа, поясните принцип действия.
15. Какие полупроводниковые приборы называют диодами Шоттки? Нарисуйте УГО диода Шоттки. Укажите область их применения, достоинства и недостатки. Приведите УГО и ВАХ туннельного диода, укажите области применения.
16. По каким параметрам выбираются диоды на практике?
17. Опишите систему обозначений полупроводниковых диодов.
Тема: Выпрямители переменного тока
1. Объяснить состав и принцип работы выпрямителя (по его блок-схеме).
2. Объяснить работу однотактного выпрямителя с омической нагрузкой и привести диаграммы напряжений и токов.
3. Объяснить принцип работы Г образного L-C фильтра.
4. Объяснить работу однотактового выпрямителя с емкостным фильтром и привести диаграмму напряжений и токов.
5. Объяснить работу однотактового выпрямителя с индуктивным фильтром. и привести диаграмму напряжений и токов.
6. Привести примеры различных фильтров для выпрямителей малой, средней и большой мощности.
7. Объяснить работу параметрического стабилизатора на кремниевом стабилитроне и привести диаграмму напряжений и токов.
8. Объяснить работу компенсационного стабилизатора последовательного типа и привести диаграмму напряжений и
9. Объяснить причины нестабильности напряжения нагрузки при изменении величины нагрузки и указать пути стабилизации напряжения нагрузки.
10. Перечислить параметры и характеристики выпрямительных устройств.
11. Во сколько раз отличается величина среднего выпрямленного напряжения у однотактового и двухтактного выпрямителей с резистивной нагрузкой без фильтра?
12. Чему равно среднее значение напряжения однотактового выпрямителя с емкостным фильтром в режиме холостого хода?
13. Чему равно среднее значение напряжения двухтактного выпрямителя с емкостным фильтром в режиме холостого хода?
14. У какого выпрямителя (однотактового или двухтактного) величина пульсаций больше и почему?
15. Как вводится понятие среднего выпрямленного напряжения, коэффициента пульсаций и коэффициента стабилизации выпрямителя?
1. Полупроводниковым диодом является электронный прибор с
-:a) двумя p-n переходами
-:b) тремя p-n переходами
+:c) одним p-n переходом
-:d) четырьмя p-n переходами
2. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость связана с тем, что в них имеются
+:a) две области с электронной и дырочной проводимостью
-:b) две области с дырочной проводимостью
-:c) две области с электронной проводимостью
-:d) все выше перечисленное верно
3. Идеально чистый полупроводник при очень низкой температуре и отсутствии внешних воздействий ведет себя как
-:a) парамагнетик
-:b) ферромагнетик
+:c) диэлектрик
4. Включение p-n перехода, при котором происходит понижение потенциального барьера и через переход протекает относительно большой ток, называется
-:a) динамическим включением
-:b) обратным включением
+:c) прямым включением
-:d) статическим включением
5. Диод Шотки отличается от точечно-контактного диода тем, что
-:a) на нем происходит малое падение напряжения при прямом включении
-:b) в нем используется переход металл-полупроводник
+:c) верны ответы а) и б)
-:d) он имеет малые габариты
6. Диод, работающий в области электрического пробоя, называется
+:a) варикапом
-:b) стабистором
-:c) стабилитроном
-:d) ветодиодом
7. Стабилитрон работает при
-:a) прямом смещении p-n перехода
-:b) нулевом токе через p-n переход
-:c) тепловом пробое p-n перехода
+:d) обратном смещении p-n перехода
8. Полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора с электрически управляемой емкостью, называется
-:a) стабистором
-:b) стабилитроном
+:c) варикапом
-:d) светодиодом
9. Варикап работает при
-:a) прямом смещении p-n перехода
+:c) обратном смещении p-n перехода
-:d) электрическом пробое p-n перехода
10. Тиристор – полупроводниковый прибор, состоящий из
-:a) двух слоев полупроводника с чередующимся типом проводимости -:b) трех слоев полупроводника с чередующимся типом проводимости
-:c) одного слоя полупроводника с проводимостью n или р типа
+:d) четырех слоев полупроводника с чередующимся типом проводимости
11. Характеристика триодного тиристора при значительном увеличении тока управляющего электрода приближается к характеристике
-:a) диода
-:b) реостата
+:c) варикапа
-:d) резистора
12. Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор
+:a) с двумя взаимодействующими p-n переходами
-:b) с одним p-n переходом
-:c) с четырехслойной структурой p-n-p-n или n-p-n-p
-:d) с переходами металл-полупроводник
13. Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполяр¬ного транзистора
-:a) с общим эмиттером
-:b) с общим коллектором
+:c) с общей базой
14. Инжекцией носителей заряда в биполярном транзисторе типа p-n-p называется перемещение дырок из
-:a) базы в эмиттер
-:b) базы в коллектор
+:c) эмиттера в базу
-:d) коллектора в базу
15. Для усиления сигнала с помощью биполярного транзистора используется
-:a) инверсный режим
+:b) активный режим
-:c) режим отсечки
-:d) режим насыщения
16. Активный режим работы биполярного транзистора – это режим, при котором
+:a) эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт
-:b) оба p-n перехода закрыты
-:c) оба p-n перехода открыты
-:d) эмиттерный переход закрыт, коллекторный – открыт
17. Режим насыщения биполярного транзистора – это режим, при котором
-:a) оба p-n перехода закрыты
-:b) эмиттерный переход закрыт, коллекторный – открыт
-:c) эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт
+:d) оба p-n перехода открыты
18. Режим отсечки биполярного транзистора – режим, при котором
-:a) оба p-n перехода открыты
-:b) эмиттерный переход закрыт, коллекторный – открыт
+:c) оба p-n перехода закрыты
-:d) эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт
19. Переход носителей заряда из базы в коллектор называется
-:a) регенерацией
-:b) рекомбинацией
+:c) экстракцией
-:d) инжекцией
20. Конструктивные особенности, принципиально отличающие базу транзистора от эмиттера и коллектора, состоят в
-:a) толщине
-:b) концентрации примеси
-:c) типе примеси
21. Для нормальной работы биполярного транзистора необходимо, чтобы
-:a) концентрация дырок рэ в эмиттере была существенно ниже концентрации электронов nб в базе (рэ<< nб)
-:b) концентрация дырок рэ в эмиттере была равна концентрации электронов nб в базе (рэ= nб)
+:c) концентрация дырок рэ в эмиттере была существенно выше концентрации электронов nб в базе (рэ>> nб)
22. Если в базе транзистора увеличить концентрацию примесей, то ток ба¬зы
+:a) увеличится
-:b) станет равным нулю
-:c) не изменится
-:d) уменьшится
23. Если повысить обратное напряжение на коллекторном переходе, то
-:a) ничего не изменится
-:b) увеличится толщина базы
-:c) увеличится толщина эмиттера
+:d) уменьшится толщина базы
24. Токи биполярного транзистора связаны между собой соотношением
-:a) Iэ = Iк – Iб
-:b) Iк = Iэ + Iб
+:c) Iэ = Iк + Iб
-:d) Iэ = Iб – Iк
25. Параметр h12э для биполярного транзистора является
-:a) входным сопротивлением при коротком замыкании в выходной цепи
+:b) коэффициентом обратной связи по напряжению при холос¬том ходе во входной цепи
-:c) выходной проводимостью при холостом ходе во входной цепи
-:d) коэффициентом передачи тока при коротком замыкании выходной цепи
26. Параметр h22э для биполярного транзистора является
+:a) выходной проводимостью при холостом ходе во входной цепи
-:b) входным сопротивлением при коротком замыкании в выходной цепи
-:c) коэффициентом обратной связи по напряжению при холос¬том ходе во входной цепи
-:d) коэффициентом передачи тока при коротком замыкании выходной цепи
27. При включении биполярного транзистора по схеме с общей базой входными величинами являются
-:a) ток коллектора и напряжение между коллектором и базой
-:b) ток базы и напряжение между базой и эмиттером
-:c) ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером
+:d) ток эмиттера и напряжение между эмиттером и базой
28. Единицей измерения параметра h22э биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером является
-:a) Кулон
-:b) Ампер
+:c) Сименс
-:d) Вольт
29. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены
-:a) потоком неосновных носителей, инжектированных в область базы
-:b) диффузионными процессами в коллекторном переходе
+:c) потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем
30. Параметр S полевого транзистора – это
-:a) статический коэффициент усиления
-:b) внутреннее сопротивление
-:c) коэффициент передачи тока
+:d) крутизна переходной характеристики
31. Ток в цепи стока полевого транзистора зависит от напряжения на
-:a) истоке и стоке
-:b) базе и истоке
+:c) стоке и затворе
-:d) затворе и коллекторе
32. В униполярном транзисторе управление электрическим током происходит посредством
+:a) электрического поля
-:c) напряжения на стоке
-:d) напряжения на истоке
33. Полевым МДП-транзистором называется транзистор
-:a) с тремя электродами и одним p-n переходом
-:b) из двух биполярных с большим коэффициентом усиления
+:c) с затвором, отделенным от канала слоем диэлектрика
34. Основным назначением выпрямительной схемы во вторичных источниках питания является
-:a) стабилизация напряжения на нагрузке
-:b) уменьшение коэффициента пульсаций на нагрузке
+:c) выпрямление входного напряжения
-:d) регулирование напряжения на нагрузке
35. С помощью вентилей в источнике вторичного электропитания происходит
-:a) уменьшение напряжения на вторичной обмотке трансформатора
+:b) преобразование переменного напряжения в пульсирующее
-:c) регулирование мощности тока в нагрузке
-:d) отключение сглаживающего фильтра от трансформатора
36. Если частота напряжения, питающего источник вторичного электропитания, увеличится, то сглаживание емкостным сглаживающим фильт¬ром
+:a) улучшится
-:b) ухудшится
-:c) не изменится
37. Если в выпрямителе диоды включаются последовательно, то их шунтируют резисторами для
-:a) улучшения процесса выпрямления тока
-:b) уменьшения сопротивления нагрузки
-:c) сглаживания скачков напряжения
+:d) выравнивания обратных сопротивлений диодов
38. Отношение коэффициента пульсаций на входе сглаживающего фильтра к коэффициенту пульсаций на выходе является коэффициентом
-:a) пульсаций
-:b) гармоник
+:c) сглаживания
-:d) искажений
39. При включении биполярного транзистора в схему с общей(им) ... коэффициент усиления каскада по напряжению меньше единицы
-:a) он всегда больше единицы
-:b) базой
+:c) коллектором
-:d) эмиттером
40. Эмиттерный повторитель обеспечивает
-:a) большой коэффициент усиления по напряжению
-:b) поворот фазы сигнала на 180º
-:c) искажение формы сигнала
+:d) большое входное и малое выходное сопротивления
зачет /оценка «отлично» (86-100 баллов) ставится обучающемуся, обнаружившему систематические и глубокие знания учебно-программного материала, умения свободно выполнять задания, предусмотренные программой в типовой ситуации (с ограничением времени) и в нетиповой ситуации, знакомство с основной и дополнительной литературой, усвоение взаимосвязи основных понятий дисциплины в их значении приобретаемой специальности и проявившему творческие способности и самостоятельность в приобретении знаний.
зачет /оценка «хорошо» (71-85 баллов) ставится обучающемуся, обнаружившему полное знание учебно-программного материала, успешное выполнение заданий, предусмотренных программой в типовой ситуации (с ограничением времени), усвоение материалов основной литературы, рекомендованной в программе, способность к самостоятельному пополнению и обновлению знаний в ходе дальнейшей работы над литературой и в профессиональной деятельности.
зачет /оценка «удовлетворительно» (56-70 баллов) ставится обучающемуся, обнаружившему знание основного учебно-программного материала в объеме, достаточном для дальнейшей учебы и предстоящей работы по специальности, знакомство с основной литературой, рекомендованной программой, умение выполнять задания, предусмотренные программой.
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
– правильность ответа по содержанию задания (учитывается количество и характер ошибок при ответе);
– полнота и глубина ответа (учитывается количество усвоенных фактов, понятий и т.п.);
– сознательность ответа (учитывается понимание излагаемого материала);
– логика изложения материала (учитывается умение строить целостный, последовательный рассказ, грамотно пользоваться специальной терминологией);
– использование дополнительного материала;
– рациональность использования времени, отведенного на задание (не одобряется затянутость выполнения задания, устного ответа во времени, с учетом индивидуальных особенностей обучающихся).
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
для учета в рейтинге (оценка)
«отлично»
«хорошо»
«удовлетво-рительно»
«неудовлетворительно»
для учета в рейтинге (оценка)
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
- теоретический уровень знаний;
- качество ответов на вопросы;
- подкрепление материалов фактическими данными (статистические данные или др.);
- практическая ценность материала;
- способность делать выводы;
- способность отстаивать собственную точку зрения;
- способность ориентироваться в представленном материале;
- степень участия в общей дискуссии.
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
(дискуссии, полемики, диспута, дебатов)
«отлично»
используется терминология; показано умение иллюстрировать теоретические положения конкретными примерами, применять их в новой ситуации; высказывать свою точку зрения.
«хорошо»
«удовлетво-рительно»
«неудовлетворительно»
для учета в рейтинге (оценка)
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
– полнота раскрытия темы;
– правильность формулировки и использования понятий и категорий;
– правильность выполнения заданий/ решения задач;
– аккуратность оформления работы и др.
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
(обязательно для дисциплин, где по УП предусмотрена контрольная работа)
«отлично»
«хорошо»
«удовлетво-рительно»
«неудовлетворительно»
Примерные критерии оценивания:
– правильность выполнения задания на практическую/лабораторную работу в соответствии с вариантом;
– степень усвоения теоретического материала по теме практической /лабораторной работы;
– способность продемонстрировать преподавателю навыки работы в инструментальной программной среде, а также применить их к решению типовых задач, отличных от варианта задания;
– качество подготовки отчета по практической / лабораторной работе;
– правильность и полнота ответов на вопросы преподавателя при защите работы
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания практических занятий (лабораторных работ):
для учета в рейтинге (оценка)
«отлично»
«хорошо»
«удовлетво-рительно»
«неудовлетворительно»
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
В качестве критериев могут быть выбраны, например:
– соответствие срока сдачи работы установленному преподавателем;
– соответствие содержания и оформления работы предъявленным требованиям;
– способность выполнять вычисления;
– умение использовать полученные ранее знания и навыки для решения конкретных задач;
– умение отвечать на вопросы, делать выводы, пользоваться профессиональной и общей лексикой;
– обоснованность решения и соответствие методике (алгоритму) расчетов;
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
расчетно-графической работы, работы на тренажере
для учета в рейтинге (оценка)
«отлично»
«хорошо»
«удовлетво-рительно»
«неудовлетворительно»
для учета в рейтинге (оценка)
Тема (темы) / Раздел дисциплины (модуля)
Тестовые задания по данной теме (темам)/Разделу с указанием правильных ответов.
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
- отношение правильно выполненных заданий к общему их количеству
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
для учета в рейтинге (оценка)
Задачи реконструктивного уровня
Задачи творческого уровня
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
– полнота знаний теоретического контролируемого материала;
– полнота знаний практического контролируемого материала, демонстрация умений и навыков решения типовых задач, выполнения типовых заданий/упражнений/казусов;
– умение самостоятельно решать проблему/задачу на основе изученных методов, приемов, технологий;
– умение ясно, четко, логично и грамотно излагать собственные размышления, делать умозаключения и выводы;
– полнота и правильность выполнения задания.
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
– полнота раскрытия темы;
(рефератов, докладов, сообщений)
для учета в рейтинге (оценка)
Показано умелое использование категорий и терминов дисциплины в их ассоциативной взаимосвязи.
Ответ четко структурирован и выстроен в заданной логике. Части ответа логически взаимосвязаны. Отражена логическая структура проблемы (задания): постановка проблемы – аргументация – выводы. Объем ответа укладывается в заданные рамки при сохранении смысла.
Продемонстрировано умение аргументировано излагать собственную точку зрения. Видно уверенное владение освоенным материалом, изложение сопровождено адекватными иллюстрациями (примерами) из практики.
Высокая степень самостоятельности, оригинальность в представлении материала: стилистические обороты, манера изложения, словарный запас. Отсутствуют стилистические и орфографические ошибки в тексте.
Работа выполнена аккуратно, без помарок и исправлений.
– знание фактического материала, отсутствие фактических ошибок;
– умение логически выстроить материал ответа;
– умение аргументировать предложенные подходы и решения, сделанные выводы;
– степень самостоятельности, грамотности, оригинальности в представлении материала (стилистические обороты, манера изложения, словарный запас, отсутствие или наличие грамматических ошибок);
– выполнение требований к оформлению работы.
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся).
Примерная шкала оценивания письменных работ:
Продемонстрировано владение понятийно-терминологическим аппаратом дисциплины (уместность употребления, аббревиатуры, толкование и т.д.), отсутствуют ошибки в употреблении терминов.
Показано умелое использование категорий и терминов дисциплины в их ассоциативной взаимосвязи.
Ответ в достаточной степени структурирован и выстроен в заданной логике без нарушений общего смысла. Части ответа логически взаимосвязаны. Отражена логическая структура проблемы (задания): постановка проблемы – аргументация – выводы. Объем ответа незначительно превышает заданные рамки при сохранении смысла.
Продемонстрировано умение аргументированно излагать собственную точку зрения, но аргументация не всегда убедительна. Изложение лишь отчасти сопровождено адекватными иллюстрациями (примерами) из практики.
Достаточная степень самостоятельности, оригинальность в представлении материала. Встречаются мелкие и не искажающие смысла ошибки в стилистике, стилистические штампы. Есть 1–2 орфографические ошибки.
Работа выполнена аккуратно, без помарок и исправлений.
Продемонстрировано достаточное владение понятийно-терминологическим аппаратом дисциплины, есть ошибки в употреблении и трактовке терминов, расшифровке аббревиатур.
Ошибки в использовании категорий и терминов дисциплины в их ассоциативной взаимосвязи.
Ответ плохо структурирован, нарушена заданная логика. Части ответа логически разорваны, нет связок между ними. Ошибки в представлении логической структуры проблемы (задания): постановка проблемы – аргументация – выводы. Объем ответа в существенной степени (на 25–30%) отклоняется от заданных рамок.
Нет собственной точки зрения либо она слабо аргументирована. Примеры, приведенные в ответе в качестве практических иллюстраций, в малой степени соответствуют изложенным теоретическим аспектам.
Текст работы примерно наполовину представляет собой стандартные обороты и фразы из учебника/лекций. Обилие ошибок в стилистике, много стилистических штампов. Есть 3–5 орфографических ошибок.
Работа выполнена не очень аккуратно, встречаются помарки и исправления.
Продемонстрировано крайне слабое владение понятийно-терминологическим аппаратом дисциплины (неуместность употребления, неверные аббревиатуры, искаженное толкование и т.д.), присутствуют многочисленные ошибки в употреблении терминов.
Ответ представляет собой сплошной текст без структурирования, нарушена заданная логика. Части ответа не взаимосвязаны логически. Нарушена логическая структура проблемы (задания): постановка проблемы – аргументация – выводы. Объем ответа более чем в 2 раза меньше или превышает заданный. Показаны неверные ассоциативные взаимосвязи категорий и терминов дисциплины.
Отсутствует аргументация изложенной точки зрения, нет собственной позиции. Отсутствуют примеры из практики либо они неадекватны.
Текст ответа представляет полную кальку текста учебника/лекций. Стилистические ошибки приводят к существенному искажению смысла. Большое число орфографических ошибок в тексте (более 10 на страницу).
Работа выполнена неаккуратно, с обилием помарок и исправлений. В работе один абзац и больше позаимствован из какого-либо источника без ссылки на него.
для учета в рейтинге (оценка)
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
- соответствие решения сформулированным в кейсе вопросам (адекватность проблеме и рынку);
- оригинальность подхода (новаторство, креативность);
- применимость решения на практике;
- глубина проработки проблемы (обоснованность решения, наличие альтернативных вариантов, прогнозирование возможных проблем, комплексность решения).
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
для учета в рейтинге (оценка)
Концепция игры
Роли:
Задания (вопросы, проблемные ситуации и др.)
Ожидаемый (е) результат(ы)
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
качество усвоения информации;
выступление;
содержание вопроса;
качество ответов на вопросы;
значимость дополнений, возражений, предложений;
уровень делового сотрудничества;
соблюдение правил деловой игры;
соблюдение регламента;
активность;
правильное применение профессиональной лексики.
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
для учета в рейтинге (оценка)
для учета в рейтинге (оценка)
Индивидуальные творческие задания (проекты):
Критерии оценивания (устанавливаются разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерные критерии оценивания:
- актуальность темы;
- соответствие содержания работы выбранной тематике;
- соответствие содержания и оформления работы установленным требованиям;
- обоснованность результатов и выводов, оригинальность идеи;
- новизна полученных данных;
- личный вклад обучающихся;
- возможности практического использования полученных данных.
Шкала оценивания (устанавливается разработчиком самостоятельно с учетом использования рейтинговой системы оценки успеваемости обучающихся)
Примерная шкала оценивания:
п/п